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삼성, 8세대 HBM 모형 첫 공개 “압도적 경쟁력”

삼성전자가 정보기술(IT) 전시회 ‘컴퓨텍스 2026’에서 8세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM5’ 실물 모형을 처음 공개했다. 송재혁 삼성전자 반도체(DS)부문 최고기술책임자(CTO·사장)는 2일(현지 시간) 대만 타이베이 타이넥스1 전시장에서 HBM5를 소개하며 “엔비디아를 포함한 글로벌 기업들과의 협력을 기반으로 차세대 메모리 기술 경쟁력을 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다. 이와 관련해 삼성전자는 “압도적인 기술 경쟁력을 통해 차세대 메모리 시장을 선점하겠다는 의지를 드러낸 것”이라고 설명했다. 송 CTO는 HBM5 시대를 겨냥한 차세대 열관리 기술 검증도 마쳤다고 밝혔다. AI 메모리의 성능이 높아지면서 발생하는 발열 문제를 해결하기 위한 방열블록(HPB) 기술 구조도 설명했다. 그는 “삼성의 HBM5는 별도의 열전달 경로를 추가해 열 저항을 낮추고 동작의 안정성을 높인 것이 강점”이라며 “향후 AI 환경에서 시스템 전반의 효율을 높이는 데 중요한 역할을 할 것”이라고

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삼성전자, 8세대 HBM5 실물모형 첫 공개

삼성전자 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO·사장)가 2일 대만 타이베이에서 열린 아시아 최대 IT 박람회 ‘컴퓨텍스 2026’ 전시장에서 8세대 고대역폭메모리(HBM5) 실물모형(mock-up)을 공개했다(사진). 이는 제품 개발이 완성 단계에 있다는 뜻으로, 인공지능(AI) 메모리 시장에서 ‘기술 초격차’에 대한 의지를 드러낸 것이다.특히 HBM5 등···

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삼성, HBM5 세계 첫 공개 … 하이닉스 "생산능력 전속력 확대"

최태원 SK그룹 회장이 향후 5년 안에 전체 웨이퍼 생산능력(캐파)을 두 배로 확대하겠다고 밝힌 것은 향후 시장에 메모리 반도체 공급량을 늘리겠다는 의미와 함께 삼성전자에 필적하는..

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삼성전자, 8세대 HBM5 실물 모형 첫 공개…차세대 시장 선점 선언

삼성전자가 정보기술(IT) 전시회 ‘컴퓨텍스 2026’에서 8세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM5’ 실물 모형을 처음 공개했다. 송재혁 삼성전자 반도체(DS)부문 최고기술책임자(CTO·사장)는 2일(현지 시간) 대만 타이베이 타이넥스1 전시장에서 HBM5를 소개하며 “엔비디아를 포함한 글로벌 기업들과의 협력을 기반으로 차세대 메모리 기술 경쟁력을 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다. 이와 관련해 삼성전자는 “압도적인 기술 경쟁력을 통해 차세대 메모리 시장을 선점하겠다는 의지를 드러낸 것”이라고 설명했다.송 CTO는 HBM5 시대를 겨냥한 차세대 열관리 기술 검증도 마쳤다고 밝혔다. AI 메모리의 성능이 높아지면서 발생하는 발열 문제를 해결하기 위한 방열블록(HPB) 기술 구조도 설명했다. 그는 “삼성의 HBM5는 별도의 열 전달 경로를 추가해 열 저항을 낮추고 동작의 안정성을 높인 것이 강점”이라며 “향후 AI 환경에서 시스템 전반의 효율을 높이는 데 중요한 역할을 할 것”이라고

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삼성전자 HBM5 실물 모형 첫 공개…기술 ‘초격차’ 도전장

SK하이닉스도 차세대 AI 메모리 전시삼성전자가 현재 양산·공급하는 고대역폭메모리(HBM)보다 성능을 고도화한 신제품 모형을 처음으로 공개하며 인공지능(AI) 메모리 시장에서 기술 ‘초격차’를 추구하겠다는 의지를 드러냈다.삼성전자는 2일 대만 타이베이에서 열린 아시아 최대 IT 박람회 ‘컴퓨텍스 2026’ 전시장에서 8세대 HBM(HBM5) 실물모형(moc···

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삼성전자, 대만 ‘컴퓨텍스’서 HBM5 실물 첫 공개…“엔비디아와 협력 강화”

삼성전자가 대만 컴퓨텍스에서 차세대 AI 메모리 시장을 겨냥한 5세대 고대역폭 메모리(HBM5) 실물모형을 업계 최초로 공개했다. 단순 메모리 성능을 넘어 열관리와 패키징을 아우르는 ‘토탈 솔루션’ 전략으로 기술 리더십을 공고히 하겠다는 포석이다.2일 재계에 따르면 송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 대만 컴퓨텍스 전시에서 AI 산업의 급격한 진화에 대응하기 위한 핵심 전략을 밝혔다. 송 사장은 “메모리, 파운드리, 로직, 패키징을 아우르는 토탈 솔루션 경쟁력이 중요해지고 있다”며 “AI 시스템이 진화로 열관리 기술이 핵심 경쟁 요소로 부상하고 있다”고 강조했다.이번에 공개된 HBM5 기술 방향성의 핵심은 ‘열 경로 블록(HPB·Heat Path Block)’ 기술로 AI 메모리의 고성능화 과정에서 발생하는 발열 문제를 돌파하기 위한 설계 방식이다. 물리 계층(PHY) 영역에서 발생하는 열을 효과적으로 분산·방출하는 별도의 경로를 추가해

The Korea Herald

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Samsung reveals HBM5 mockup in bid to regain AI memory lead

Samsung Electronics unveiled a mockup of its HBM5 memory and a new heat-management technology at Computex 2026, signaling its ambition to regain momentum in the artificial intelligence memory race as competition with SK hynix intensifies. At the annual technology exhibition in Taiwan on Tuesday, Samsung showcased the planned architecture of its seventh-generation high-bandwidth memory, or HBM5, featuring a new thermal solution called Heat Path Block designed to improve heat dissipation in increa

머니투데이

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"차세대 HBM서도 기술로 1등하겠다"…삼성, HBM5 실물모형 첫 공개

'컴퓨텍스 2026'서 하이브리드 본딩 적용한 HBM5 목업 선봬 삼성전자가 대만 타이베이 난강전시센터 일대에서 개막한 아시아 최대 IT(정보기술) 전시회 '컴퓨텍스 2026'에서 HBM5(8세대 고대역폭메모리) 목업(Mock-Up·실물모형)을 업계 최초로 공개했다. 송재혁 삼성전자 DS(디바이스솔루션)부문 CTO(최고기술책임자)는 "차세대 HBM 제품들에서도 기술로 1등을 할 수 있도록 노력하겠다"며 기술력에 대한 자신감을 드러냈다. 송 CTO는 2일(현지시간) '컴퓨텍스 2026' 삼성전자 부스에서 열린 기술설명회에서 "삼성전자는 메모리, 파운드리(반도체 위탁생산), 패키징을 아우르는 종합 반도체 회사로서 AI(인공지능)이라는 종합 예술을 충분히 지원할 수 있는 회사"라며 이같이 밝혔다. 삼성전자는 이날 업계 최초로 하이브리드 본딩 기술이 적용된 HBM5 목업을 전시했다....

연합뉴스

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삼성전자, HBM5 실물모형 첫 공개…차세대 기술 선점 선언(종합)

(타이베이=연합뉴스) 김민지 기자 = 삼성전자가 8세대 고대역폭메모리(HBM5)의 첫 실물모형(목업)을 공개하며 차세대 HBM 기술 선점에 대한...

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삼성전자, 8세대 HBM5 실물모형 첫 공개… 시장 선점 나선다

삼성전자가 차세대 인공지능(AI) 메모리인 8세대 고대역폭메모리(HBM5) 실물 모형(목업)을 처음 공개하며 차세대 HBM 시장 선점 의지를 드러냈다. 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 겸 DS부문 최고안전책임자(CSO)는 2일 대만 타이베이에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’ 현장에서 기자들과 만나 “급변하는 AI 산업에 대응하기 위해서는 메모리와 파운

연합뉴스

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삼성전자, 8세대 HBM5 실물모형 첫 공개…차세대 시장 선점 선언

(타이베이=연합뉴스) 김민지 기자 = 삼성전자가 8세대 고대역폭메모리(HBM5)의 첫 실물모형(목업)을 공개하며 차세대 HBM 기술 선점에 대한...

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SK하이닉스, HBM 발열 잡는 신기술 공개…“8세대부터 적용”

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 내부에 열이 빠져나가는 전용 통로를 만든 ‘iHBM’ 기술을 26일 공개했다. HBM 내부에 일체형 냉각 요소 ‘ICE’를 적용해 열 배출 경로를 추가하는 방식으로, 기존 대비 열 저항을 30% 이상 줄일 수 있는 기술이다. 8세대 HBM인 HBM5부터 이 기술이 적용된다. HBM은 메모리 칩을 여러 층으로 쌓아 올려 AI 연산에 필요한 대용량 데이터를 빠르게 처리하는 반도체다. AI 수요가 폭증하면서 더 많은 층을 쌓고 속도도 높이는 방향으로 발전하고 있는데, 성능이 올라갈수록 열도 더 많이 난다는 게 문제였다. 특히 HBM 내부의 베이스다이와 AI 고속 다이 간에 초고속 신호를 주고받는 연결 구간(D2D PHY)은 열이 가장 많이 몰리는 곳으로, 이 부위의 발열을 잡는 기술이 차세대 HBM의 핵심 경쟁력으로 꼽혀왔다.SK하이닉스가 이번에 내놓은 해법은 열이 집중되는 그 자리에 열 배출 소자를 직접 심는 것이다. ICE라고 이름 붙인 이 소

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다시 앞서가는 SK하이닉스, 발열 잡는 ‘iHBM’ 기술 공개… “HBM5 등 차세대 제품에 적용”

SK하이닉스가 발열을 획기적으로 낮춘 메모리 설루션 ‘iHBM’ 기술을 26일 공개했다. HBM(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory) 패키지에 일체형 냉각 요소 ‘ICE(Integrated Cooling Elements)’를 적용한 기술이라고 소개했다. ICE는 전기가 통하지 않지만 열 전도가 높은 실리콘 소재를 활용해 HBM 패키지 내부에 추가적인 열 배출 경로를 형성하는 냉각 요소다. 초고성능 HBM 메모리 설루션 시장에서 SK하이닉스가 다시 한번 기술 격차를 벌려 나가는 모습이다.폭증하는 AI 연산 수요 대응을 위해 HBM은 적층 단수 확대와 고속화를 거듭하면서 성능이 발전하고 있다. 성능이 높아지는 만큼 발열이 많아지는 문제가 뒤따른다. 이로 인해 HBM과 GPU를 연결하는 D2D PHY(Die-to-Die Physical Layer) 구간 발열 밀도(Power Density)를 효과적으로 제어하는 기술이 차세대 hbm 기술 경쟁력 핵심으로 꼽히고 있다

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SK하이닉스, 발열 잡는 ‘iHBM’ 기술 공개···열저항 30%↓

SK하이닉스가 차세대 HBM5에 적용할 iHBM 기술 예시. SK하이닉스 제공SK하이닉스가 기존 모델 대비 열저항을 30% 이상 낮출 수 있는 차세대 HBM(고대역폭메모리) 냉각 기술 iHBM을 공개했다. SK하이닉스는 HBM5를 포함한 차세대 HBM에 기술을 적용할 계획이다.SK하이닉스는 HBM 패키지에 일체형 냉각요소 ICE를 내재해 발열을 낮춘 ‘iH···

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SK하이닉스, 첨단 발열제어 기술 ‘iHBM’ 공개…HBM5부터 본격 적용

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 패키지 내부에 냉각 요소를 넣어 발열을 낮추는 차세대 기술을 공개했다. 26일 SK하이닉스는 일체형 냉각 요소인 ICE를 HBM 패키지에 내재한 ‘iHBM’ 기술을 선보였다고 밝혔다. ICE는 전기는 통하지 않지만 열 전도율이 높은 실리콘 소재를 활용해 HBM 내부에 추가 열 배출 경로를 만드는 냉각 요소다. AI 연산

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