SK하이닉스, HBM 발열 잡는 신기술 공개…“8세대부터 적용”

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 내부에 열이 빠져나가는 전용 통로를 만든 ‘iHBM’ 기술을 26일 공개했다.

HBM 내부에 일체형 냉각 요소 ‘ICE’를 적용해 열 배출 경로를 추가하는 방식으로, 기존 대비 열 저항을 30% 이상 줄일 수 있는 기술이다.

8세대 HBM인 HBM5부터 이 기술이 적용된다.

HBM은 메모리 칩을 여러 층으로 쌓아 올려 AI 연산에 필요한 대용량 데이터를 빠르게 처리하는 반도체다.

AI 수요가 폭증하면서 더 많은 층을 쌓고 속도도 높이는 방향으로 발전하고 있는데, 성능이 올라갈수록 열도 더 많이 난다는 게 문제였다.

특히 HBM 내부의 베이스다이와 AI 고속 다이 간에 초고속 신호를 주고받는 연결 구간(D2D PHY)은 열이 가장 많이 몰리는 곳으로, 이 부위의 발열을 잡는 기술이 차세대 HBM의 핵심 경쟁력으로 꼽혀왔다.SK하이닉스가 이번에 내놓은 해법은 열이 집중되는 그 자리에 열 배출 소자를 직접 심는 것이다.

ICE라고 이름 붙인 이 소 ...