SK하이닉스, ‘HBM4E’ 12단 샘플 공급…“핀당 최대 16Gbps 구현”
AI 통합 요약
인텔이 차세대 반도체 공정 '18A-P'의 시범생산을 시작하며 반도체 산업의 기술 경쟁이 심화되고 있다. 18A-P는 기존 18A 대비 성능 9%, 전력효율 18% 향상되어 AI 연산에 최적화되었으며, 인텔의 파운드리 경쟁력 강화 신호로 평가된다. 이와 함께 마이크로소프트·LG이노텍·삼성전자 등 국내외 주요 기업들도 AI 반도체 관련 기술 혁신에 나서고 있으나, 반도체 산업의 급성장으로 인한 송전망 부족 문제가 새로운 도전 과제로 대두되고 있다.
진보 성향: 국내 반도체 기판 기업들이 AI 메모리 수요 확대로 '공급자 우위'를 점하고 있으며, 새로운 시장 기회 속에서 기업들의 영업이익 성장이 가속화될 것으로 전망했습니다.
중도 성향: 인텔의 18A-P 공정 성능·전력·내열성 수치와 MS 제품의 NPU 성능 같은 기술 혁신을 객관적 스펙 중심으로 보도했습니다.
보수 성향: 국내 기업들의 영업이익 목표 달성과 기술 혁신을 강조하면서도, 반도체·AI 산업 급성장에 비해 송전망 확충이 크게 뒤처져 산업 경쟁력에 악영향을 미칠 우려를 동시에 지적했습니다.
SK하이닉스가 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM4E’ 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔다.
이번 신제품은 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 한 단계 끌어올린 것이 특징이다.
핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선해, AI 학습과 추론에 필수적인 데이터 처리 성능을 대폭 높였다.
최신 인터페이스와 설계 최적화로 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현해, 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 한층 높일 수 있다.
SK하이닉스는 HBM4E에 독자적인 ‘어드밴스드(Advanced) MR-MUF’ 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현하는 동시에 구조 안정성을 높였다.
특히 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰, 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 안정적으로 동작하도록 했다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩 ...
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