삼성전자 "HBM5에 2나노 공정 적용…동작 속도 전작 대비 50%↑"

파운드리 기술개발실장 "대형 고객사 수주도 확대…'턴키' 경쟁력이 강점" 삼성전자가 차세대 HBM(고대역폭메모리)인 HBM5(8세대)에 2나노(㎚·1㎚=10억분의 1m) GAA(게이트올어라운드) 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 적용한다.

메모리와 파운드리, 패키징을 아우르는 종합 반도체 회사의 역량을 앞세워 AI(인공지능) 반도체 시장 경쟁력 강화에 속도를 낸다는 구상이다.

27일 삼성전자 반도체 뉴스룸에 따르면 구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장 부사장은 "HBM5는 직전 세대인 HBM4E(7세대)보다도 동작 속도를 약 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다"며 "업계 요구에 대응하기 위해 HBM5 베이스 다이는 GAA 구조를 사용하는 2나노 공정을 적용하고 더 높은 집적도의 TSV(실리콘 관통 전극)을 구현할 예정"이라고 밝혔다....