HBM처럼… 삼성, 비메모리용 수직적층 기술 개발
AI 통합 요약
미국과 이란의 종전 협상 타결로 3개월간 국내 증시를 억눌렀던 중동 정세 불안이 해소되면서, 한국 시장에서 이탈했던 외국인들이 3거래일간 약 5조8000억 원 규모로 대량 매입에 나섰다. 이에 따라 코스피는 4일 연속 오르며 8,726.60으로 마감했고, SK 등 주요 기업 주가가 동반 상승하면서 투자 심리가 크게 개선되었다.
중도 성향: 지정학적 리스크 완화와 반도체·조선 등 순환산업의 실적 개선 모멘텀을 바탕으로 긍정적 증시 전망을 강조한다.
보수 성향: 3개월간 계속된 외국인의 '셀 코리아' 기조가 반전된 구조적 변화를 강조하며, 개인의 매도와 대비해 기관·외국인의 매수 우위로 인한 시장 회복을 부각한다.
삼성전자가 비메모리 로직 반도체에서 고대역폭메모리(HBM)와 같은 수직적층 구조를 적용하고, 게이트 간격을 업계 최소로 줄인 기술을 개발했다.
미세공정의 한계를 극복하고 인공지능(AI)용 고성능 반도체를 고도화하는 기술이 될 것으로 기대된다.
삼성전자 반도체 연구소는 미국 하와이에서 열린 글로벌 반도체 학회 VLSI 심포지엄에서 게이트 간격을 42nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 수준으로 구현한 수직적층 트랜지스터를 발표했다고 17일 밝혔다.
게이트 간격은 반도체에서 전기가 흐르는 통로인 트랜지스터 하나의 가로 길이를 말한다.
지금까지 해당 분야에서 업계 최소 간격은 48nm였다.
VLSI는 IEDM, ISSCC와 함께 세계 3대 반도체 학회로 꼽힌다.
지금까지 반도체를 수직으로 적층하는 구조는 메모리 분야에서 주로 상용화됐다.
D램의 HBM과 낸드플래시의 V-낸드가 대표적이다.
삼성전자는 이러한 적층 구조를 그래픽처리장치(GPU), 중앙처리장치(CPU)와 같은 로직 반도 ...
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